Growth, structuring and interface manipulation of ultrathin oxide and silicate films on silicon single crystal surfaces

Originalpublikation

Islam, Shariful: Growth, structuring and interface manipulation of ultrathin oxide and silicate films on silicon single crystal surfaces. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Diss., 2015, VI, 109 S.

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Publikationstyp: DoctoralThesis
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2015
Schlagwörter (deutsch): Gatedielektrikum, Dielektrizitätskonstante, Stöchiometrie, Leckstrom, hygroskopisch, kristallin, Flachbandspannung, Hysterese, Barium-Silikate
Schlagwörter (englisch): Gate dielectric, dielectric constant, stoichiometry, leakage current, hygroscopic, crystalline, flat band voltage, hysteresis, barium silicates (Ba2SiO4)
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

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