Photoelektrochemische Ätz- und Oxidationstechnik für AlGaN und Anwendung in Heterostruktur-Feldeffekttransistoren

Originalpublikation

Rotter, Thomas: Photoelektrochemische Ätz- und Oxidationstechnik für AlGaN und Anwendung in Heterostruktur-Feldeffekttransistoren. Hannover : Universität, Diss., 2004, 201 S.

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Publikationstyp: DoctoralThesis
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2005
Schlagwörter (englisch): Photoelectrochemistry (PEC), aluminium gallium nitride (AlGaN), MOS heterostructure field effect transistor (MOS-HFET)
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

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