Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation

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Lim, Bianca: Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität, Diss., 2012, 131 S.

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Publikationstyp: DoctoralThesis
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2012
Schlagwörter (deutsch): Kompensiertes Silicium, Ladungsträgerlebensdauer, Bor-Sauerstoff-Defekt
Schlagwörter (englisch): Compensated silicon, carrier lifetime, boron-oxygen defect
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

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