Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation

dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.15488/7905
dc.identifier.uri	https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/7958
dc.contributor.author	Lim, Bianca	ger
dc.date.accessioned	2019-12-01T14:17:38Z
dc.date.available	2019-12-01T14:17:38Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Lim, Bianca: Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität, Diss., 2012, 131 S.	ger
dc.description.abstract	[no abstract]	ger
dc.language.iso	eng	eng
dc.publisher	Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
dc.rights	Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.	ger
dc.subject	Compensated silicon	eng
dc.subject	carrier lifetime	eng
dc.subject	boron-oxygen defect	eng
dc.subject	Kompensiertes Silicium	ger
dc.subject	Ladungsträgerlebensdauer	ger
dc.subject	Bor-Sauerstoff-Defekt	ger
dc.subject.ddc	530 \| Physik	ger
dc.title	Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation	eng
dc.type	DoctoralThesis	ger
dc.type	Text	ger
dc.relation.urn	urn:nbn:de:gbv:089-68432783X3
dcterms.extent	131 S.
dc.description.version	publishedVersion	ger
tib.accessRights	frei zug�nglich	ger

Name: 68432783X.pdf

Größe: 25.50Mb

Format: PDF

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