Struktur und elektronische Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten mit Hochtemperatur-AIN-Zwischenschichten

Stemmer, Jens

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Stemmer, Jens: Struktur und elektronische Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten mit Hochtemperatur-AIN-Zwischenschichten. Hannover : Universität, Diss., 2003, 99 S.

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Publication type:	DoctoralThesis
Publishing status:	publishedVersion
Publication date:	2003
Keywords english:	GaN epitaxy, AIN intermediate layers, AIGaN/GaN HEMTs
DDC:	620 \| Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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