Enhanced shot noise in tunneling through a stack of coupled quantum dots

Originalpublikation

Barthold, P.; Hohls, F.; Maire, N.; Pierz, K.; Haug, R.J.: Enhanced shot noise in tunneling through a stack of coupled quantum dots. In: Physical Review Letters 96 (2006), Nr. 24, 246804. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.246804

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Name: Barthold et al 2006, ...
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Zusammenfassung:
We have investigated the noise properties of the tunneling current through vertically coupled self-assembled InAs quantum dots. We observe super-Poissonian shot noise at low temperatures. For increased temperature this effect is suppressed. The super-Poissonian noise is explained by capacitive coupling between different stacks of quantum dots. © 2006 The American Physical Society.
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Publikationstyp: Article
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2006
Schlagwörter (englisch): Electric currents, Electron tunneling, Low temperature effects, Semiconductor quantum dots, InAs quantum dots, Noise properties, Super-Poissonian noise, Tunneling current, Shot noise
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

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