Nanomachining of mesoscopic electronic devices using an atomic force microscope
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Originalpublikation
Schumacher, H.W.; Keyser, U.F.; Zeitler, U.; Haug, R.J.; Eberl, K.: Nanomachining of mesoscopic electronic devices using an atomic force microscope. In: Applied Physics Letters 75 (1999), Nr. 8, S. 1107-1109. DOI:
https://doi.org/10.1063/1.124611
Version im Repositorium
Zum Zitieren der Version im Repositorium verwenden Sie bitte diesen DOI:
https://doi.org/10.15488/2826
Name:
Schumacher et al ...
Größe:
331.6Kb
Format:
PDF
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Zusammenfassung:
An atomic force microscope (AFM) is used to locally deplete the two-dimensional electron gas (2DEG) of a GaAs/AlGaAs heterostructure. The depletion is induced by repeated mechanical scribing of the surface layers of the heterostructure using the AFM tip. Measuring the room-temperature resistance across the scribed lines during fabrication provides in situ control of the depletion of the 2DEG. Variation of the room-temperature resistance of such lines tunes their low-temperature characteristics from tunneling up to insulating behavior. Using this technique, an in-plane-gate transistor and a single-electron transistor were fabricated. © 1999 American Institute of Physics.
Lizenzbestimmungen:
Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.
Publikationstyp:
Article
Publikationsstatus:
publishedVersion
Erstveröffentlichung:
1999
Schlagwörter (englisch):
AFM
,
2DEG
Fachliche Zuordnung (DDC):
530 | Physik
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