Schumacher, H.W.; Keyser, U.F.; Zeitler, U.; Haug, R.J.; Eberl, K.: Nanomachining of mesoscopic electronic devices using an atomic force microscope. In: Applied Physics Letters 75 (1999), Nr. 8, S. 1107-1109. DOI: https://doi.org/10.1063/1.124611
Zusammenfassung: | |
An atomic force microscope (AFM) is used to locally deplete the two-dimensional electron gas (2DEG) of a GaAs/AlGaAs heterostructure. The depletion is induced by repeated mechanical scribing of the surface layers of the heterostructure using the AFM tip. Measuring the room-temperature resistance across the scribed lines during fabrication provides in situ control of the depletion of the 2DEG. Variation of the room-temperature resistance of such lines tunes their low-temperature characteristics from tunneling up to insulating behavior. Using this technique, an in-plane-gate transistor and a single-electron transistor were fabricated. © 1999 American Institute of Physics. | |
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Publikationstyp: | Article |
Publikationsstatus: | publishedVersion |
Erstveröffentlichung: | 1999 |
Die Publikation erscheint in Sammlung(en): | Fakultät für Mathematik und Physik |
Pos. | Land | Downloads | ||
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Anzahl | Proz. | |||
1 | Germany | 33 | 38,37% | |
2 | United States | 26 | 30,23% | |
3 | China | 16 | 18,60% | |
4 | Turkey | 2 | 2,33% | |
5 | Qatar | 1 | 1,16% | |
6 | Netherlands | 1 | 1,16% | |
7 | Japan | 1 | 1,16% | |
8 | Italy | 1 | 1,16% | |
9 | Iran, Islamic Republic of | 1 | 1,16% | |
10 | Israel | 1 | 1,16% | |
andere | 3 | 3,49% |
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