Nanomachining of mesoscopic electronic devices using an atomic force microscope

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Schumacher, H.W.; Keyser, U.F.; Zeitler, U.; Haug, R.J.; Eberl, K.: Nanomachining of mesoscopic electronic devices using an atomic force microscope. In: Applied Physics Letters 75 (1999), Nr. 8, S. 1107-1109. DOI: https://doi.org/10.1063/1.124611

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An atomic force microscope (AFM) is used to locally deplete the two-dimensional electron gas (2DEG) of a GaAs/AlGaAs heterostructure. The depletion is induced by repeated mechanical scribing of the surface layers of the heterostructure using the AFM tip. Measuring the room-temperature resistance across the scribed lines during fabrication provides in situ control of the depletion of the 2DEG. Variation of the room-temperature resistance of such lines tunes their low-temperature characteristics from tunneling up to insulating behavior. Using this technique, an in-plane-gate transistor and a single-electron transistor were fabricated. © 1999 American Institute of Physics.
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Document Type: article
Publishing status: publishedVersion
Issue Date: 1999
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