dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.15488/7813 |
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dc.identifier.uri |
https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/7866 |
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dc.contributor.author |
Beyer, Volkhard
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ger |
dc.date.accessioned |
2019-11-30T16:03:04Z |
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dc.date.available |
2019-11-30T16:03:04Z |
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dc.date.issued |
2012 |
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dc.identifier.citation |
Beyer, Volkhard: Nanocrystals for nanodot memories : ion beam synthesis and electrical studies. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität, Diss., 2012, 161 S. |
ger |
dc.description.abstract |
[no abstract] |
ger |
dc.language.iso |
eng |
eng |
dc.publisher |
Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover |
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dc.rights |
Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden. |
ger |
dc.subject |
Ion implantation |
eng |
dc.subject |
nanocrystals |
eng |
dc.subject |
non-volatile memory |
eng |
dc.subject |
Ionenimplantation |
ger |
dc.subject |
Nanokristalle |
ger |
dc.subject |
nichtflüchtige Speicherbauelemente |
ger |
dc.subject.ddc |
621,3 | Elektrotechnik, Elektronik
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ger |
dc.title |
Nanocrystals for nanodot memories : ion beam synthesis and electrical studies |
eng |
dc.type |
DoctoralThesis |
ger |
dc.type |
Text |
ger |
dc.relation.urn |
urn:nbn:de:gbv:089-7323873373 |
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dcterms.extent |
161 S. |
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dc.description.version |
publishedVersion |
ger |
tib.accessRights |
frei zug�nglich |
ger |