Surfactant-modifizierte Epitaxie für Ge/Si-Heterobauelemente

dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.15488/7555
dc.identifier.uri	https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/7608
dc.contributor.author	Wietler, Tobias	ger
dc.date.accessioned	2019-11-27T17:37:38Z
dc.date.available	2019-11-27T17:37:38Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Wietler, Tobias: Surfactant-modifizierte Epitaxie für Ge/Si-Heterobauelemente. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität, Diss., 2010, 186 S.	ger
dc.description.abstract	[no abstract]	ger
dc.language.iso	ger	eng
dc.publisher	Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
dc.rights	Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.	ger
dc.subject	Silicon	eng
dc.subject	surfactant-mediated epitaxy	eng
dc.subject	Germanium	ger
dc.subject	Silizium	ger
dc.subject	surfactant-modifizierte Epitaxie	ger
dc.subject.ddc	530 \| Physik	ger
dc.title	Surfactant-modifizierte Epitaxie für Ge/Si-Heterobauelemente	eng
dc.type	DoctoralThesis	ger
dc.type	Text	ger
dc.relation.urn	urn:nbn:de:gbv:089-6400454640
dcterms.extent	186 S.
dc.description.version	publishedVersion	ger
tib.accessRights	frei zug�nglich	ger

Name: 640045464.pdf

Größe: 12.77Mb

Format: PDF

Die Publikation erscheint in Sammlung(en):

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