Resonant tunneling diodes made up of stacked self-assembled Ge/Si islands
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Originalpublikation
Schmidt, O.G.; Denker, U.; Eberl, K.; Kienzle, O.; Ernst, F.; Haug, R.J.: Resonant tunneling diodes made up of stacked self-assembled Ge/Si islands. In: Applied Physics Letters 77 (2000), Nr. 26, S. 4341-4343. DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1332817
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Zum Zitieren der Version im Repositorium verwenden Sie bitte diesen DOI:
https://doi.org/10.15488/2828
Name:
Schmidt et al 2000, ...
Größe:
400.1Kb
Format:
PDF
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Zusammenfassung:
Multiple layers of self-assembled Ge/Si islands are used for resonant tunneling diodes (RTDs). The extremely closely stacked Ge nanostructures form vertical channels with energetically deep thermalization layers and high Si double barriers. Two resonances are found in the RTD current-voltage curve, which are attributed to the heavy-heavy hole (hh) and heavy-light hole (lh) transition. The lh resonance shows negative differential resistance up to 50 K. With increasing magnetic field, the lh resonance slightly shifts to higher voltages. © 2000 American Institute of Physics.
Lizenzbestimmungen:
Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.
Publikationstyp:
Article
Publikationsstatus:
publishedVersion
Erstveröffentlichung:
2000
Schlagwörter (englisch):
RTD
,
heavy-heavy hole transition
,
heavy-lihht hole transition
Fachliche Zuordnung (DDC):
530 | Physik
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