dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.15488/1492 |
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dc.identifier.uri |
http://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/1517 |
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dc.contributor.author |
Lin, L.
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dc.contributor.author |
Xiong, J.
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dc.contributor.author |
Mathis, Wolfgang
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dc.date.accessioned |
2017-05-10T13:25:04Z |
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dc.date.available |
2017-05-10T13:25:04Z |
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dc.date.issued |
2009 |
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dc.identifier.citation |
Lin, L.; Xiong, J.; Mathis, W.: Modellierung und Simulation des Substrat-Rauschens in integrierten RF CMOS-Schaltungen [Modeling and simulation of substrate noise in RF CMOS integrated circuits]. In: Advances in Radio Science 7 (2009), S. 163-168. DOI: https://doi.org/10.5194/ars-7-163-2009 |
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dc.description.abstract |
Im integrierten CMOS-Schaltungsentwurf kann das Substrat-Rauschen, das vom digitalen Teil entsteht, die Funktionalität des analogen Teils stark beeinflussen. Es wird daher immer wichtiger, das Substrat als ein Medium der Rauschen-Propagation genau zu modellieren. Im vorliegenden Artikel wird ein auf der Finite Elemente Methode (FEM) und Modellordnungsreduktion (MOR) basiertes Modellierungsverfahren zur Admittanzen-Extraktion im Halbleitersubstrat vorgestellt. Nach der Diskretisierung mit FEM wird das Substrat im Allgemeinen als ein resistives/kapazitives Netz angesehen. Durch Bestimmung der Admittanz-Matrix und MOR ist es möglich ein äquivalentes Dreipol-Modell zwischen digitalem und analogem Teil über das Substrat zu bilden. Das Ergebnis der Modellierung wird dargestellt und mit numerischer Simulation des Substrat-Rauschens verglichen. Die Modellierung ermöglicht es, die Einflüsse des Substrat-Rauschens im Schaltungsentwurf zu berücksichtigen und so bestehende CMOS-Schaltungsarchitekturen zu optimieren. |
ger |
dc.language.iso |
ger |
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dc.publisher |
Göttingen : Copernicus GmbH |
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dc.relation.ispartofseries |
Advances in Radio Science 7 (2009) |
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dc.rights |
CC BY 3.0 Unported |
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dc.rights.uri |
https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/ |
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dc.subject |
Model and simulation |
eng |
dc.subject |
RF CMOS integrated circuits |
eng |
dc.subject |
Substrate noise |
eng |
dc.subject |
Computer simulation |
eng |
dc.subject |
CMOS integrated circuits |
eng |
dc.subject.ddc |
621,3 | Elektrotechnik, Elektronik
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ger |
dc.title |
Modellierung und Simulation des Substrat-Rauschens in integrierten RF CMOS-Schaltungen [Modeling and simulation of substrate noise in RF CMOS integrated circuits] |
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dc.type |
Article |
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dc.type |
Text |
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dc.relation.issn |
1684-9965 |
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dc.relation.doi |
https://doi.org/10.5194/ars-7-163-2009 |
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dc.bibliographicCitation.volume |
7 |
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dc.bibliographicCitation.firstPage |
163 |
|
dc.bibliographicCitation.lastPage |
168 |
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dc.description.version |
publishedVersion |
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tib.accessRights |
frei zug�nglich |
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