Lin, L.; Xiong, J.; Mathis, W.: Modellierung und Simulation des Substrat-Rauschens in integrierten RF CMOS-Schaltungen [Modeling and simulation of substrate noise in RF CMOS integrated circuits]. In: Advances in Radio Science 7 (2009), S. 163-168. DOI: https://doi.org/10.5194/ars-7-163-2009
Zusammenfassung: | |
Im integrierten CMOS-Schaltungsentwurf kann das Substrat-Rauschen, das vom digitalen Teil entsteht, die Funktionalität des analogen Teils stark beeinflussen. Es wird daher immer wichtiger, das Substrat als ein Medium der Rauschen-Propagation genau zu modellieren. Im vorliegenden Artikel wird ein auf der Finite Elemente Methode (FEM) und Modellordnungsreduktion (MOR) basiertes Modellierungsverfahren zur Admittanzen-Extraktion im Halbleitersubstrat vorgestellt. Nach der Diskretisierung mit FEM wird das Substrat im Allgemeinen als ein resistives/kapazitives Netz angesehen. Durch Bestimmung der Admittanz-Matrix und MOR ist es möglich ein äquivalentes Dreipol-Modell zwischen digitalem und analogem Teil über das Substrat zu bilden. Das Ergebnis der Modellierung wird dargestellt und mit numerischer Simulation des Substrat-Rauschens verglichen. Die Modellierung ermöglicht es, die Einflüsse des Substrat-Rauschens im Schaltungsentwurf zu berücksichtigen und so bestehende CMOS-Schaltungsarchitekturen zu optimieren. | |
Lizenzbestimmungen: | CC BY 3.0 Unported |
Publikationstyp: | Article |
Publikationsstatus: | publishedVersion |
Erstveröffentlichung: | 2009 |
Die Publikation erscheint in Sammlung(en): | Fakultät für Elektrotechnik und Informatik |
Pos. | Land | Downloads | ||
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Anzahl | Proz. | |||
1 | Germany | 88 | 65,19% | |
2 | United States | 25 | 18,52% | |
3 | China | 11 | 8,15% | |
4 | No geo information available | 3 | 2,22% | |
5 | Taiwan | 2 | 1,48% | |
6 | Russian Federation | 2 | 1,48% | |
7 | Iran, Islamic Republic of | 1 | 0,74% | |
8 | Europe | 1 | 0,74% | |
9 | Denmark | 1 | 0,74% | |
10 | Austria | 1 | 0,74% |
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