Oberflächenspannung auf Si(111) : Heteroepitaxie von Ge und CaF2, Adsorption von H und Sb

dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.15488/9614
dc.identifier.uri	https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/9668
dc.contributor.author	Zahl, Percy	ger
dc.date.accessioned	2020-03-13T15:00:24Z
dc.date.available	2020-03-13T15:00:24Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Zahl, Percy: Oberflächenspannung auf Si(111) : Heteroepitaxie von Ge und CaF2, Adsorption von H und Sb. Hannover : Universität, Diss., 2000, 171 S.	ger
dc.description.abstract	[no abstract]	ger
dc.language.iso	ger	eng
dc.publisher	Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
dc.rights	Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.	ger
dc.subject	Surface-stress	eng
dc.subject	SSIOD	eng
dc.subject	SPA-LEED	eng
dc.subject	Si(111)	eng
dc.subject	hetero-epitaxy	eng
dc.subject.ddc	530 \| Physik	ger
dc.title	Oberflächenspannung auf Si(111) : Heteroepitaxie von Ge und CaF2, Adsorption von H und Sb	ger
dc.type	DoctoralThesis	ger
dc.type	Text	ger
dc.relation.urn	urn:nbn:de:gbv:089-3237815008
dcterms.extent	171 S.
dc.description.version	publishedVersion	ger
tib.accessRights	frei zug�nglich	ger

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Format: PDF

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