Epitaxie virtueller Germaniumsubstrate für III-V-Halbleiter

dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.15488/8981
dc.identifier.uri	https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/9034
dc.contributor.advisor	Wietler, Tobias	DE
dc.contributor.advisor	Tegenkamp, Christoph	DE
dc.contributor.author	Grimm, Andreas	ger
dc.date.accessioned	2019-12-15T15:11:42Z
dc.date.available	2019-12-15T15:11:42Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	Grimm, Andreas: Epitaxie virtueller Germaniumsubstrate für III-V-Halbleiter. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Diss., 2016, ix, 174 S.	ger
dc.description.abstract	[no abstract]	ger
dc.language.iso	ger	eng
dc.publisher	Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
dc.rights	Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.	ger
dc.subject	Silicon	eng
dc.subject	gallium arsenide	eng
dc.subject	Germanium	ger
dc.subject	Silizium	ger
dc.subject	Galliumarsenid	ger
dc.subject.ddc	621,3 \| Elektrotechnik, Elektronik	ger
dc.title	Epitaxie virtueller Germaniumsubstrate für III-V-Halbleiter	ger
dc.type	DoctoralThesis	ger
dc.type	Text	ger
dc.relation.urn	urn:nbn:de:gbv:089-8773321264
dc.bibliographicCitation.firstPage	ix, 174 S.
dcterms.extent	ix, 174 S.
dc.description.version	publishedVersion	ger
tib.accessRights	frei zug�nglich	ger

Name: 877332126.pdf

Größe: 34.17Mb

Format: PDF

Die Publikation erscheint in Sammlung(en):

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