dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.15488/8134 |
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dc.identifier.uri |
https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/8187 |
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dc.contributor.author |
Müller-Sajak, Dirk
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ger |
dc.date.accessioned |
2019-12-03T07:23:27Z |
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dc.date.available |
2019-12-03T07:23:27Z |
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dc.date.issued |
2013 |
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dc.identifier.citation |
Müller-Sajak, Dirk: Herstellung und Charakterisierung von (Ba,Sr)O basierten MOS Dioden und ultradünnen Isolatorfilmen auf Si(001). Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Diss, 2013, 147 S. |
ger |
dc.description.abstract |
[no abstract] |
ger |
dc.language.iso |
ger |
eng |
dc.publisher |
Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover |
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dc.rights |
Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden. |
ger |
dc.subject |
BaO |
eng |
dc.subject |
SrO |
eng |
dc.subject |
Ba0.7Sr0.3O |
eng |
dc.subject |
Isolatorepitaxie |
eng |
dc.subject |
high-K Oxide |
eng |
dc.subject |
Temperaturstabilität |
eng |
dc.subject |
Silikate |
eng |
dc.subject |
MOS Dioden |
eng |
dc.subject |
I-V |
eng |
dc.subject |
C-V |
eng |
dc.subject |
XPS |
eng |
dc.subject |
EELS |
eng |
dc.subject |
Grenzflächenzustandsdichte |
eng |
dc.subject |
Epitaxy of insulators |
ger |
dc.subject |
high-K oxides |
ger |
dc.subject |
temperature stability |
ger |
dc.subject |
silicates |
ger |
dc.subject |
MOS diodes |
ger |
dc.subject |
interface density of states |
ger |
dc.subject.ddc |
530 | Physik
|
ger |
dc.title |
Herstellung und Charakterisierung von (Ba,Sr)O basierten MOS Dioden und ultradünnen Isolatorfilmen auf Si(001) |
ger |
dc.type |
DoctoralThesis |
ger |
dc.type |
Text |
ger |
dc.relation.urn |
urn:nbn:de:gbv:089-7501935576 |
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dc.bibliographicCitation.firstPage |
147 S. |
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dcterms.extent |
147 S. |
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dc.description.version |
publishedVersion |
ger |
tib.accessRights |
frei zug�nglich |
ger |