Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des Siliziums

dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.15488/7893
dc.identifier.uri	https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/7946
dc.contributor.author	Krügener, Jan	ger
dc.date.accessioned	2019-12-01T11:00:25Z
dc.date.available	2019-12-01T11:00:25Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Krügener, Jan: Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des Siliziums. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität, Diss., 2012, 213 S.	ger
dc.description.abstract	[no abstract]	ger
dc.language.iso	ger	eng
dc.publisher	Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover
dc.rights	Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.	ger
dc.subject	Molecular beam epitaxy	eng
dc.subject	silicon	eng
dc.subject	polytypism	eng
dc.subject	Molekularstrahlepitaxie	ger
dc.subject	Silizium	ger
dc.subject	Polytypismus	ger
dc.subject.ddc	621,3 \| Elektrotechnik, Elektronik	ger
dc.title	Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des Siliziums	ger
dc.type	DoctoralThesis	ger
dc.type	Text	ger
dc.relation.urn	urn:nbn:de:gbv:089-7276185716
dcterms.extent	213 S.
dc.description.version	publishedVersion	ger
tib.accessRights	frei zug�nglich	ger

Name: 727618571.pdf

Größe: 10.81Mb

Format: PDF

Die Publikation erscheint in Sammlung(en):

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