Elektrische und strukturelle Eigenschaften von Ge-Nanoclustern in SiO2 : Evaluation des Anwendungspotentials für nichtflüchtige Speicher

Originalpublikation

Peibst, Robby: Elektrische und strukturelle Eigenschaften von Ge-Nanoclustern in SiO2 : Evaluation des Anwendungspotentials für nichtflüchtige Speicher. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität, Diss., 2011, 213 S.

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Publikationstyp: DoctoralThesis
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2011
Schlagwörter (deutsch): Nichtflüchtige Speicher, Nanocluster, Germanium
Schlagwörter (englisch): Non-volatile memory, nanocrystal
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

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