Struktur und elektronische Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten mit Hochtemperatur-AIN-Zwischenschichten

Originalpublikation

Stemmer, Jens: Struktur und elektronische Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten mit Hochtemperatur-AIN-Zwischenschichten. Hannover : Universität, Diss., 2003, 99 S.

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Publikationstyp: DoctoralThesis
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2003
Schlagwörter (englisch): GaN epitaxy, AIN intermediate layers, AIGaN/GaN HEMTs
Fachliche Zuordnung (DDC): 620 | Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

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