dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.15488/6250 |
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dc.identifier.uri |
https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/6302 |
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dc.contributor.author |
Röver, Kai-Sven
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ger |
dc.date.accessioned |
2019-11-13T11:29:11Z |
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dc.date.available |
2019-11-13T11:29:11Z |
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dc.date.issued |
2003 |
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dc.identifier.citation |
Röver, Kai-Sven: Herstellung und Charakterisierung dünner Gatedielektrika auf Germanium. Hannover : Universität, Diss., 2003, 139 S. |
ger |
dc.description.abstract |
[no abstract] |
ger |
dc.language.iso |
ger |
eng |
dc.publisher |
Hannover : Universität |
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dc.rights |
Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden. |
ger |
dc.subject |
Germanium-MIS |
eng |
dc.subject |
low-temperature dielectrics |
eng |
dc.subject |
ECR-PACVD |
eng |
dc.subject.ddc |
620 | Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
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ger |
dc.title |
Herstellung und Charakterisierung dünner Gatedielektrika auf Germanium |
ger |
dc.type |
DoctoralThesis |
ger |
dc.type |
Text |
ger |
dc.relation.urn |
urn:nbn:de:gbv:089-3672218961 |
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dcterms.extent |
139 S. |
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dc.description.version |
publishedVersion |
ger |
tib.accessRights |
frei zug�nglich |
ger |