dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.15488/5441 |
|
dc.identifier.uri |
https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/5488 |
|
dc.contributor.author |
Sack, Martin
|
|
dc.contributor.author |
Müller, Georg
|
|
dc.date.accessioned |
2019-09-16T14:48:24Z |
|
dc.date.available |
2019-09-16T14:48:24Z |
|
dc.date.issued |
2014 |
|
dc.identifier.citation |
Sack, Martin; Müller, Georg: EMV-Aspekte beim Aufbau eines schnellen Halbleiterschalters. In: emv : Internationale Fachmesse und Kongress für Elektromagnetische Verträglichkeit. Berlin : VDE-Verlag, 2014, S. 517-525 |
ger |
dc.description.abstract |
Der kaskadierte Betrieb von MOSFETs erfordert eine exakte Synchronisation aller Stufen. Dies wird durch ein schnell ansteigendes Auslösesignal und eine zeitlich konstante Signallaufzeit jeder Stufe erzielt. Eine niederinduktive Ansteuerung der MOSFETs, die auch eine Trennung der Massefläche in Leistungs- und Signalmasse beinhaltet, ist erforderlich für schnelle Schaltzeiten. Die Parallelschaltung von Supperssordioden dient als Überspannungsschutz für jede Stufe. Insbesondere beim Betrieb mit zwei Schaltern bewirkt die Schalterkapazität des hochohmigen Schalters Stromschwingungen. Eine Gegenmaßnahme wäre der Aufbau mit geringerer Schalterkapazität, wie er z.B. durch Verzicht auf die Suppressordioden erreicht werden könnte. Beim Betrieb in einer Blumlein-Anordnung mit aufgewickelten Koaxialleitungen kann die Erdstreukapazität einer Leitung mittels Ferriten von der Last entkoppelt werden. |
ger |
dc.language.iso |
ger |
|
dc.publisher |
Berlin : VDE-Verlag |
|
dc.relation.ispartof |
https://doi.org/10.15488/5378 |
|
dc.rights |
CC BY 3.0 DE |
|
dc.rights.uri |
https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/de/ |
|
dc.subject |
Parallelschaltung |
ger |
dc.subject |
Überspannungsschutz |
ger |
dc.subject |
Halbleiterschalter |
ger |
dc.subject |
Streukapazität |
ger |
dc.subject |
Schaltzeit |
ger |
dc.subject |
Laufzeit |
ger |
dc.subject |
MOS-FET |
ger |
dc.subject |
elektromagnetische Verträglichkeit |
ger |
dc.subject |
Gegenmaßnahme |
ger |
dc.subject |
Suppressordiode |
ger |
dc.subject.classification |
Konferenzschrift |
ger |
dc.subject.ddc |
600 | Technik
|
ger |
dc.subject.ddc |
621,3 | Elektrotechnik, Elektronik
|
ger |
dc.title |
EMV-Aspekte beim Aufbau eines schnellen Halbleiterschalters |
|
dc.type |
BookPart |
|
dc.type |
Text |
|
dc.bibliographicCitation.firstPage |
517 |
|
dc.bibliographicCitation.lastPage |
524 |
|
dc.description.version |
publishedVersion |
|
tib.accessRights |
frei zug�nglich |
|