EMV-Aspekte beim Aufbau eines schnellen Halbleiterschalters

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dc.identifier.uri http://dx.doi.org/10.15488/5441
dc.identifier.uri https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/5488
dc.contributor.author Sack, Martin
dc.contributor.author Müller, Georg
dc.date.accessioned 2019-09-16T14:48:24Z
dc.date.available 2019-09-16T14:48:24Z
dc.date.issued 2014
dc.identifier.citation Sack, Martin; Müller, Georg: EMV-Aspekte beim Aufbau eines schnellen Halbleiterschalters. In: emv : Internationale Fachmesse und Kongress für Elektromagnetische Verträglichkeit. Berlin : VDE-Verlag, 2014, S. 517-525 ger
dc.description.abstract Der kaskadierte Betrieb von MOSFETs erfordert eine exakte Synchronisation aller Stufen. Dies wird durch ein schnell ansteigendes Auslösesignal und eine zeitlich konstante Signallaufzeit jeder Stufe erzielt. Eine niederinduktive Ansteuerung der MOSFETs, die auch eine Trennung der Massefläche in Leistungs- und Signalmasse beinhaltet, ist erforderlich für schnelle Schaltzeiten. Die Parallelschaltung von Supperssordioden dient als Überspannungsschutz für jede Stufe. Insbesondere beim Betrieb mit zwei Schaltern bewirkt die Schalterkapazität des hochohmigen Schalters Stromschwingungen. Eine Gegenmaßnahme wäre der Aufbau mit geringerer Schalterkapazität, wie er z.B. durch Verzicht auf die Suppressordioden erreicht werden könnte. Beim Betrieb in einer Blumlein-Anordnung mit aufgewickelten Koaxialleitungen kann die Erdstreukapazität einer Leitung mittels Ferriten von der Last entkoppelt werden. ger
dc.language.iso ger
dc.publisher Berlin : VDE-Verlag
dc.relation.ispartof https://doi.org/10.15488/5378
dc.rights CC BY 3.0 DE
dc.rights.uri https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/de/
dc.subject Parallelschaltung ger
dc.subject Überspannungsschutz ger
dc.subject Halbleiterschalter ger
dc.subject Streukapazität ger
dc.subject Schaltzeit ger
dc.subject Laufzeit ger
dc.subject MOS-FET ger
dc.subject elektromagnetische Verträglichkeit ger
dc.subject Gegenmaßnahme ger
dc.subject Suppressordiode ger
dc.subject.classification Konferenzschrift ger
dc.subject.ddc 600 | Technik ger
dc.subject.ddc 621,3 | Elektrotechnik, Elektronik ger
dc.title EMV-Aspekte beim Aufbau eines schnellen Halbleiterschalters
dc.type BookPart
dc.type Text
dc.bibliographicCitation.firstPage 517
dc.bibliographicCitation.lastPage 524
dc.description.version publishedVersion
tib.accessRights frei zug�nglich


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