Messung der Störfestigkeit integrierter Schaltungen getrennt für das elektrische und magnetische Feld

Abstract

Es wurde eine neue Methode zur Messung der Störfestigkeit von IC's vorgestellt, die es erlaubt, die Störfestigkeit getrennt für das elektrische und magnetische Feld zu bewerten. Diese Methode verwendet eine definierte Massefläche, einen Distanzring und zwei separate Feldquellen zur Erzeugung des elektrischen bzw. magnetischen Prüffeldes. Das Testboard mit dem IC wird in die Massefläche eingelegt und anschließend eine der Feldquellen unter Verwendung des Distanzringes über dem IC positioniert. Die Höhe des Distanzringes bestimmt dabei den Abstand zwischen der Feldquelle und dem IC. Da sich der IC bei dieser Methode im Nahfeld der Quelle befindet, kann die Messung der Störfestigkeit getrennt für das elektrische und magnetische Feld erfolgen und damit der Störmechanismus näher untersucht werden. Diese Methode bietet sich daher als Ergänzung zur Messung in der TEM-Zelle nach DINEN62132-2 an. Die vorgestellte Methode wurde verwendet, um die Schirmwirkung auf IC-Ebene zu untersuchen. Dabei wurde zwischen der Schirmwirkung gegenüber dem elektrischen und dem magnetischen Feld unterschieden. Im Rahmen der Untersuchungen wurden verschiedene Schirmkonfigurationen und Materialien verwendet. Die gewonnenen Ergebnisse zeigen sehr anschaulich, welche Schirmkonfigurationen zur Schirmung elektrischer bzw. magnetischer Felder geeignet sind.