Magnetoresistance anisotropy in Si/SiGe in tilted magnetic fields: Experimental evidence for a stripe-phase formation

Originalpublikation

Zeitler, U.; Schumacher, H.W.; Jansen, A.G.M.; Haug, R.J.: Magnetoresistance anisotropy in Si/SiGe in tilted magnetic fields: Experimental evidence for a stripe-phase formation. In: Physical Review Letters 86 (2001), Nr. 5, S. 866-869. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.86.866

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Name: Zeitler et al 2001, ...
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Zusammenfassung:
The anisotropies induced by an in-plane field in the magnetotransport properties of coinciding Landau levels in the two dimensional electron system of a silicon/silicon germanium (Si/SiGe) heterostructure were investigated. The anisotropies were caused by the formation of a unidirectional stripe phase from two Landau levels with opposite spin of electrons.
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Publikationstyp: Article
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2001
Schlagwörter (englisch): Band structure, Carrier mobility, Electron transport properties, Fermi level, Magnetic anisotropy, Magnetoresistance, Molecular orientation, Morphology, Semiconducting silicon, Semiconducting silicon compounds, Landau levels, Stripe-phase formation, Heterojunctions
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

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