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Originalpublikation
Bockhorn, L.; Barthold, P.; Schuh, D.; Wegscheider, W.; Haug, R.J.: Magnetoresistance in a high-mobility two-dimensional electron gas. In: Physical Review B 83 (2011), Nr. 11, 113301. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.113301
Version im Repositorium
Zum Zitieren der Version im Repositorium verwenden Sie bitte diesen DOI:
https://doi.org/10.15488/2867
| Zusammenfassung: | |
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In a high-mobility two-dimensional electron gas (2DEG) in a GaAs/Al 0.3Ga0.7As quantum well we observe a strong magnetoresistance. In lowering the electron density, the magnetoresistance gets more pronounced and reaches values of more than 300%. We observe that the huge magnetoresistance vanishes when increasing the temperature. An additional density-dependent factor is introduced to be able to fit the parabolic magnetoresistance to the electron-electron interaction correction. © 2011 American Physical Society.
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| Lizenzbestimmungen: | Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden. |
| Publikationstyp: | article |
| Publikationsstatus: | publishedVersion |
| Erstveröffentlichung: | 2011 |
| Schlagworte (englisch): | 2DEG, Magnetoresistance |
| Fachliche Zuordnung (DDC): | 530 | Physik |
Die Publikation erscheint in Sammlung(en):
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Fakultät für Mathematik und Physik
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