Quantum confinement effects in Si/Ge heterostructures with spatially ordered arrays of self-assembled quantum dots

Originalpublikation

Agafonov, O.B.; Dais, C.; Grützmacher, D.; Haug, R.J.: Quantum confinement effects in Si/Ge heterostructures with spatially ordered arrays of self-assembled quantum dots. In: Applied Physics Letters 96 (2010), Nr. 22, 222107. DOI: https://doi.org/10.1063/1.3442508

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Name: Agafonov et al 2010, ...
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Zusammenfassung:
Magnetotunneling spectroscopy was employed to probe the confinement in vertical Si/Ge double-barrier resonant tunneling diodes with regularly distributed Ge quantum dots. Their current-voltage characteristics reveal a steplike behavior in the vicinity of zero bias, indicating resonant tunneling of heavy-holes via three-dimensionally confined unoccupied hole states in Ge quantum dots. Assuming parabolic confinement, we extract the strength of the confinement potential of quantum dots. © 2010 American Institute of Physics.
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Publikationstyp: Article
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2010
Schlagwörter (englisch): Confinement potential, Double barriers, Ge quantum dot, Heterostructures, Hole state, Magnetotunneling, Ordered array, Parabolic confinements, Quantum confinement effects, Quantum Dot, Self assembled quantum dots, Si/Ge, Zero bias, Germanium, Resonant tunneling, Resonant tunneling diodes, Semiconductor diodes, Semiconductor quantum dots, Current voltage characteristics
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

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