Über die elektronische Wechselwirkung bei der Adsorption und Okklusion von Wasserstoff und Deuterium durch dünne im Ultrahochvakuum aufgedampfte Palladiumfilme

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dc.identifier.uri http://dx.doi.org/10.15488/2495
dc.identifier.uri http://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/2521
dc.contributor.author Suhrmann, R.
dc.contributor.author Schumicki, G.
dc.contributor.author Wedler, G.
dc.date.accessioned 2017-11-24T12:38:59Z
dc.date.available 2017-11-24T12:38:59Z
dc.date.issued 1964
dc.identifier.citation Suhrmann, R.; Schumicki, G.; Wedler, G.: Über die elektronische Wechselwirkung bei der Adsorption und Okklusion von Wasserstoff und Deuterium durch dünne im Ultrahochvakuum aufgedampfte Palladiumfilme. In: Zeitschrift für Naturforschung - Section A Journal of Physical Sciences 19 (1964), Nr. 10, S. 1208-1216. DOI: https://doi.org/10.1515/zna-1964-1012
dc.description.abstract Im Ultrahochvakuum aufgedampfte dünne Palladiumfilme werden bei 295°, 195°. 90° und 77 °K mit gemessenen Mengen n Wasserstoff oder Deuterium beladen und die hierdurch bewirkte Änderung des elektrischen Widerstandes R sowie der photoelektrischen Empfindlichkeit I/I0 der Filmoberfläche verfolgt.Bei allen Temperaturen nimmt I/I0 zu Anfang sehr stark ab. d. h. es bildet sich zuerst eine nach außen negative Adsorptionsschicht. R wird gleichzeitig erhöht. Noch vor der Ausbildung einer mono- a'omaren Adsorptionsschicht gewinnt ein zweiter Prozeß, der den Widerstand absinken läßt, das Übergewicht. Da I/I0 hierdurch nicht mehr beeinflußt wird. dringt das Gas bei dem zweiten Prozeß in den Film ein. Es kann bei 295 °K durch Abpumpen unter Widerstandszunahme zum Teil wieder desorbiert werden. Bei 195 °K, 90 °K und 77 °K werden unter den angewandten Drucken (p < 10-1 Torr), nachdem die Oberfläche besetzt ist, in einem dritten Prozeß wesentlich größere Gasmengen vom Palladium im Volumen aufgenommen. Dabei wächst R linear mit der aufgenommenen Gasmenge bis um 90% des Anfangswiderstandes. I/I0 fällt nur sehr wenig ab. Bei Deuteriumaufnahme ist die Widerstandszunahme größer als bei Aufnahme von Wasserstoff. Bei 195°K zerfällt die entstandene β-Phase, wenn der Gasdruck unter 10-4 Torr erniedrigt wird; die negative Adsorptionsschicht wird nicht desorbiert. Bei 90°K und 77°K ist die β-Phase auch bei Drucken unterhalb 10-7 Torr beständig. Die Widerstandszunahme ist bei dem Atomverhältnis H/Pd bzw. D/Pd =1 beendet, die β-Phase also voll ausgebildet. Anschließend wird bis zu D/Pd bzw. H/Pd ≈ 1,8 weiteres Gas aufgenommen. das den Widerstand jedoch nur wenig absinken läßt und beim Abpumpen wieder abgegeben wird. Es ist anzunehmen, daß beim Aufbau der β-Phase bis H/Pd bzw. D/Pd =1 die D- bzw. Η-Atome in die Oktaederlücken des Palladiumgitters eingebaut werden. Da beim Atomverhältnis 0,6 in dem linearen Anstieg von R/R0 vs Atomverhältnis keinerlei Besonderheit auftritt, ist nicht das Auffüllen der 4d-Lücken des Palladiumgitters, sondern die Störung des Leitungsmechanismus durch die eingebauten Fremdatome die Ursache der Widerstandszunahme bei der Aufnahme des Wasserstoffs bzw. Deuteriums bis zum Atomverhältnis eins. Die Bildung der β-Phase erfolgt von einzelnen Keimen aus, die bei weiterer Gasaufnahme wachsen. Nach dem Aufbau der β-Phase kann der Film zusätzlich Wasserstoff bzw. Deuterium aufnehmen; das zusätzlich aufgenommene Gas verursacht nur eine geringe Widerstands-Abnahme und kann wieder abgepumpt werden. ger
dc.language.iso ger
dc.publisher Berlin : De Gruyter
dc.relation.ispartofseries Zeitschrift für Naturforschung - Section A Journal of Physical Sciences 19 (1964), Nr. 10
dc.rights CC BY-NC-ND 3.0
dc.rights.uri https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
dc.subject Wasserstoff ger
dc.subject Deuterium ger
dc.subject Ultrahochvakuum ger
dc.subject aufgedampfte Palladiumfilme ger
dc.subject.ddc 530 | Physik ger
dc.title Über die elektronische Wechselwirkung bei der Adsorption und Okklusion von Wasserstoff und Deuterium durch dünne im Ultrahochvakuum aufgedampfte Palladiumfilme
dc.type article
dc.type Text
dc.relation.essn 1865-7109
dc.relation.issn 0932-0784
dc.relation.doi https://doi.org/10.1515/zna-1964-1012
dc.bibliographicCitation.issue 10
dc.bibliographicCitation.volume 19
dc.bibliographicCitation.firstPage 1208
dc.bibliographicCitation.lastPage 1216
dc.description.version publishedVersion
tib.accessRights frei zug�nglich


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