dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.15488/1493 |
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dc.identifier.uri |
http://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/1518 |
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dc.contributor.author |
Stegemann, S.
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dc.contributor.author |
Xiong, J.
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dc.contributor.author |
Mathis, Wolfgang
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dc.date.accessioned |
2017-05-10T13:25:05Z |
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dc.date.available |
2017-05-10T13:25:05Z |
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dc.date.issued |
2009 |
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dc.identifier.citation |
Stegemann, S.; Xiong, J.; Mathis, W.: Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen [Modeling of quantum effects in a charge-based MOS transistor model for the simulation of nanoscaled CMOS analog circuits]. In: Advances in Radio Science 7 (2009), S. 185-190. DOI: https://doi.org/10.5194/ars-7-185-2009 |
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dc.description.abstract |
Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung der Bauelemente in CMOS-Schaltungen und den dadurch erreichten Strukturgrößen nehmen quantenmechanische Effekte zunehmenden Einfluss auf die Funktion von Transistoren und damit auf die gesamte Schaltung. Unter Einbeziehung der Energiequantisierung an der Si/SiO2-Grenzfläche wird untersucht, wie sich durch eine Modifikation der Beschreibung des Oberflächenpotenzials die Inversionsladung quantenmechanisch formulieren lässt. Im Hinblick auf den Entwurf und die Simulation von CMOS-Analogschaltungen wird dazu ein ladungsbasiertes MOS-Transistor-Modell zugrunde gelegt. Die sich daraus ergebenden Veränderungen für die Kapazitäten und die Inversionsladung werden dabei für die Modellierung des quasiballistischen Drain-Source-Stromes verwendet. Dazu wird innerhalb dieses Modells ein Streufaktor berechnet, mit dem nanoskalierte MOS-Transistoren mit einer Kanallänge von unter 20 nm simuliert werden können. Ausgehend von Parametern eines CMOS-Prozesses werden mit MATLAB die Einflüsse der quantenmechanischen Effekte bei der Skalierung des Transistors analysiert. |
ger |
dc.language.iso |
ger |
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dc.publisher |
Göttingen : Copernicus GmbH |
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dc.relation.ispartofseries |
Advances in Radio Science 7 (2009) |
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dc.rights |
CC BY 3.0 Unported |
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dc.rights.uri |
https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/ |
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dc.subject |
CMOS analog circuits |
eng |
dc.subject |
Nanoscaled |
eng |
dc.subject |
Quantum effects |
eng |
dc.subject |
Transistor model |
eng |
dc.subject |
Quantum electronics |
eng |
dc.subject |
Computer simulation |
eng |
dc.subject.ddc |
621,3 | Elektrotechnik, Elektronik
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ger |
dc.title |
Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen [Modeling of quantum effects in a charge-based MOS transistor model for the simulation of nanoscaled CMOS analog circuits] |
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dc.type |
Article |
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dc.type |
Text |
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dc.relation.issn |
1684-9965 |
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dc.relation.doi |
https://doi.org/10.5194/ars-7-185-2009 |
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dc.bibliographicCitation.volume |
7 |
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dc.bibliographicCitation.firstPage |
185 |
|
dc.bibliographicCitation.lastPage |
190 |
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dc.description.version |
publishedVersion |
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tib.accessRights |
frei zug�nglich |
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