Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen [Modeling of quantum effects in a charge-based MOS transistor model for the simulation of nanoscaled CMOS analog circuits]

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dc.identifier.uri http://dx.doi.org/10.15488/1493
dc.identifier.uri http://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/1518
dc.contributor.author Stegemann, S.
dc.contributor.author Xiong, J.
dc.contributor.author Mathis, Wolfgang
dc.date.accessioned 2017-05-10T13:25:05Z
dc.date.available 2017-05-10T13:25:05Z
dc.date.issued 2009
dc.identifier.citation Stegemann, S.; Xiong, J.; Mathis, W.: Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen [Modeling of quantum effects in a charge-based MOS transistor model for the simulation of nanoscaled CMOS analog circuits]. In: Advances in Radio Science 7 (2009), S. 185-190. DOI: https://doi.org/10.5194/ars-7-185-2009
dc.description.abstract Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung der Bauelemente in CMOS-Schaltungen und den dadurch erreichten Strukturgrößen nehmen quantenmechanische Effekte zunehmenden Einfluss auf die Funktion von Transistoren und damit auf die gesamte Schaltung. Unter Einbeziehung der Energiequantisierung an der Si/SiO2-Grenzfläche wird untersucht, wie sich durch eine Modifikation der Beschreibung des Oberflächenpotenzials die Inversionsladung quantenmechanisch formulieren lässt. Im Hinblick auf den Entwurf und die Simulation von CMOS-Analogschaltungen wird dazu ein ladungsbasiertes MOS-Transistor-Modell zugrunde gelegt. Die sich daraus ergebenden Veränderungen für die Kapazitäten und die Inversionsladung werden dabei für die Modellierung des quasiballistischen Drain-Source-Stromes verwendet. Dazu wird innerhalb dieses Modells ein Streufaktor berechnet, mit dem nanoskalierte MOS-Transistoren mit einer Kanallänge von unter 20 nm simuliert werden können. Ausgehend von Parametern eines CMOS-Prozesses werden mit MATLAB die Einflüsse der quantenmechanischen Effekte bei der Skalierung des Transistors analysiert. ger
dc.language.iso ger
dc.publisher Göttingen : Copernicus GmbH
dc.relation.ispartofseries Advances in Radio Science 7 (2009)
dc.rights CC BY 3.0
dc.rights.uri https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/
dc.subject CMOS analog circuits eng
dc.subject Nanoscaled eng
dc.subject Quantum effects eng
dc.subject Transistor model eng
dc.subject Quantum electronics eng
dc.subject Computer simulation eng
dc.subject.ddc 621,3 | Elektrotechnik, Elektronik ger
dc.title Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen [Modeling of quantum effects in a charge-based MOS transistor model for the simulation of nanoscaled CMOS analog circuits]
dc.type article
dc.type Text
dc.relation.issn 1684-9965
dc.relation.doi https://doi.org/10.5194/ars-7-185-2009
dc.bibliographicCitation.volume 7
dc.bibliographicCitation.firstPage 185
dc.bibliographicCitation.lastPage 190
dc.description.version publishedVersion
tib.accessRights frei zug�nglich


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