Zusammenfassung: | |
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Untersuchung des Einflusses
der epitaktischen Wachstumsparameter auf die Kristallstruktur, die
Morphologie und die dielektrischen und elektrischen Eigenschaften von
Gadoliniumoxid (Gd2O3)-Schichten gewachsen auf Si(001).
Das Wachstum der Gd2O3-Schichten wurde mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie
durchgeführt und in zwei unterschiedlichen Temperaturbereichen
untersucht: das Wachstum bei tiefen Temperaturen (250 °C - 400 °C) und
das Wachstum bei hohen Temperaturen (850 °C).
Beim Wachstum bei tiefen Temperaturen bildet sich in Abhängigkeit
vom Sauerstoffpartialdruck eine unterschiedliche Kristallstruktur aus. Die
Gd2O3-Schichten gewachsen mit geringem Sauerstoffpartialdruck (pO2 ) zeigen
eine kubische Struktur mit einer (110)-Orientierung. Beim Wachstum
mit einem höheren Sauerstoffpartialdruck, bildet die Gd2O3-Schicht die
monokline Phase mit einer (20¯1)-Orientierung in sechs rotationssymmetrischen
Domänen aus. Die Änderung der Kristallstruktur in Abhängigkeit
vom Sauerstoffpartialdruck kann auf der Grundlage des Gibbs-Thomson-
Effektes erklärt werden, wobei eine spannungsinduzierte Phasentransformation
aufgrund der Änderung der kritischen Keimgröße stattfindet. An
der Gd2O3/Si-Grenzfläche bildet sich im Anfangsstadium des Wachstums
eine amorphe Zwischenschicht mit konstanter Dicke aus, was anhand von
thermodynamischen Effekten erklärt werden kann. Eine RTA-Temperung
in Stickstoffatmosphäre führt zu einer Vergrößerung der Dicke der Zwischenschicht
in Abhängigkeit von der Temperatur, wobei die Anwesenheit
von Restsauerstoff während der Temperung als Ursache vermutet wird.
Beim Gd2O3-Wachstum bei hohen Temperaturen bildet sich eine kubische
Kristallstruktur mit einer (110)-Orientierung mit zwei senkrecht zueinander
orientierten Domänen aus. Auf der Oberfläche bilden sich nanodrahtartige
Strukturen aus, die senkrecht zueinander angeordnet sind. Des Weiteren
zeigt die Siliziumoberfläche eine starke Facettierung. Als Ursache für die
Formierung der nanodrahtartigen Strukturen wird eine Kombination aus
unterschiedlichen Prozessen angenommen. Eine erhöhte Diffusion entlang
der Dimerreihen kann für die Bildung der Strukturen verantwortlich sein.
Außerdem ist eine anfängliche Ausbildung eines Silizids als Ursache für die
Facettierung der Si-Oberfläche denkbar, das die Struktur vorgibt und sich
während des weiteren Wachstums in ein Oxid umwandelt.
Ferner weisen die Gd2O3-Schichten gewachsen bei tiefen Temperaturen
eine große Bandlücke (5,8 eV) und eine symmetrische Bandanordnung
zu Silizium auf. Die Schichten mit monoklinem Gd2O3-Anteil wurden im
Hinblick auf die Identifikation von vorhandenen Defektarten und -dichten
und Leckstromverhalten elektrisch charakterisiert. Es zeigt sich zunächst
eine erhöhte Defektdichte, die sich jedoch durch die Variation der Wachstumsparameter (T, pO2 ) und einer nachträglichen Formiergastemperung
deutlich reduzieren lässt. Die dielektrische Konstante der monoklinen Struktur
ist gegenüber der kubischen Struktur deutlich erhöht und wurde zu
εox = 33±2 bestimmt. Für die Zwischenschicht wurde εil ≈ 7 ermittelt,
was auf eine silikatische Komposition hindeutet. Des Weiteren zeigen sich
niedrige Leckströme im Bereich von einigen μA bis nA, was die Anwendung
der Schichten in elektronischen Bauelementen ermöglicht.
Insgesamt konnte gezeigt werden, wie die Struktur und Morphologie sowie
die dielektrischen Eigenschaften von Gd2O3 gewachsen auf Si(001) durch
die Variation der Wachstumsparameter modifiziert werden können.
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Lizenzbestimmungen: | CC BY 3.0 DE - http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/de/ |
Publikationstyp: | DoctoralThesis |
Publikationsstatus: | publishedVersion |
Erstveröffentlichung: | 2020 |
Schlagwörter (deutsch): | Molekularstrahlepitaxie, Gadoliniumoxid, Polymorphismus |
Schlagwörter (englisch): | molecular beam epitaxy, gadolinium oxide, polymorphism |
Fachliche Zuordnung (DDC): | 621,3 | Elektrotechnik, Elektronik |