Magnetization of modulation doped Si/SiGe quantum wells in high magnetic fields

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Wilde, M.A.; Rhode, M.; Heyn, Ch.; Schäffler, F.; Zeitler, U. et al.: Magnetization of modulation doped Si/SiGe quantum wells in high magnetic fields. In: AIP Conference Proceedings 772 (2005), S. 467-468. DOI: https://doi.org/10.1063/1.1994186

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We have fabricated highly sensitive micromechanical cantilever magnetometers and, by this means, investigated the de Haas-van Alphen effect of a two-dimensional electron system in a modulation-doped Si/SiGe heterostructure. As a function of perpendicular magnetic field component B⊥ we observe at low temperature sawtooth-like oscillations of the magnetization M. These are found at even integer filling factors v = ns/(eB ⊥/h) = 4(N + 1) with N = 0, 1, 2..., when the chemical potential is in the Landau energy gap, and at v = (4N + 2) where the spin splitting of the Landau levels occurs. In particular, we also observe oscillations at odd v where the valley degeneracy is lifted. This signal increases significantly with B⊥. We discuss our findings in the framework of electron-electron interaction in the presence of disorder. © 2005 American Institute of Physics.
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Document Type: article
Publishing status: publishedVersion
Issue Date: 2005
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