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Kamata, N.; Klausing, H.; Fedler, F.; Mistele, D.; Aderhold, J. et al.: Effect of modulation-doping on luminescence properties of plasma assisted MBE-grown GaN/AIGaN quantum well. In: EPJ Applied Physics 27 (2004), S. 271-273. DOI: https://doi.org/10.1051/epjap:2004128
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| Abstract: | |
In order to improve the crystal quality of GaN-based light emitting devices, photoluminescence (PL) characterization of below-gap states in plasma assisted MBE-grown GaN/AlGaN quantum well (QW) structures has been done by utilizing a below-gap excitation (BGE) light in addition to an above-gap excitation light. The decrease of the band-edge PL intensity due to the addition of the BGE of 1.17 eV indicates the presence of an energy-matched below-gap state in the two-wavelength excited PL. In continuation to our previous efficiency improvement by applying modulation-doping to GaAs/AlGaAs QW's. we focused on several undopcd and Si-doped GaN/AlGaN QW's. Experimental results showed that Si modulation-doping reduces the density of below-gap states in the QW region, hence it is promising for increasing internal quantum efficiency of GaN-based QW's. | |
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| Document Type: | Article |
| Publishing status: | publishedVersion |
| Issue Date: | 2004 |
| Appears in Collections: | Fakultät für Elektrotechnik und Informatik |
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United States | 29 | 33.72% |
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China | 11 | 12.79% |
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France | 3 | 3.49% |
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Ireland | 2 | 2.33% |
| 6 |  |
No geo information available | 1 | 1.16% |
| 7 |  |
Taiwan | 1 | 1.16% |
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Japan | 1 | 1.16% |
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Hungary | 1 | 1.16% |
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Czech Republic | 1 | 1.16% |
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