Barthold, P.; Lüdtke, T.; Schmidt, H.; Haug, R.J.: Low-temperature hysteresis in the field effect of bilayer graphene. In: New Journal of Physics 13 (2011), 43020. DOI: https://doi.org/10.1088/1367-2630/13/4/043020
Abstract: | |
Hysteresis in the field effect of bilayer graphene is observed at a low temperature. We attribute this effect to charge traps in the substrate. When the sweep rate of the back-gate voltage is increased to higher values, the hysteresis becomes more pronounced. By measuring the hysteresis in the field effect, the lifetime of the charge traps is estimated as 16.9 min. It is shown that the influence of charge traps on graphene is strongly affected by a magnetic field. Above 5 T the hysteresis remains constant. © IOP Publishing Ltd and Deutsche Physikalische Gesellschaft. | |
License of this version: | CC BY-NC-SA 3.0 Unported |
Document Type: | Article |
Publishing status: | publishedVersion |
Issue Date: | 2011 |
Appears in Collections: | Fakultät für Mathematik und Physik |
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