Ab initio prediction of semiconductivity in a novel two-dimensional Sb2X3 (X= S, Se, Te) monolayers with orthorhombic structure

Downloadstatistik des Dokuments (Auswertung nach COUNTER):

Bafekry, A.; Mortazavi, B.; Faraji, M.; Shahrokhi, M.; Shafique, A. et al.: Ab initio prediction of semiconductivity in a novel two-dimensional Sb2X3 (X= S, Se, Te) monolayers with orthorhombic structure. In: Scientific Reports 11 (2021), Nr. 1, 10366. DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-021-89944-4

Version im Repositorium

Zum Zitieren der Version im Repositorium verwenden Sie bitte diesen DOI: https://doi.org/10.15488/12335

Zeitraum, für den die Download-Zahlen angezeigt werden:

Jahr: 
Monat: 

Summe der Downloads: 50




Kleine Vorschau
Zusammenfassung: 
Sb 2S 3 and Sb 2Se 3 are well-known layered bulk structures with weak van der Waals interactions. In this work we explore the atomic lattice, dynamical stability, electronic and optical properties of Sb 2S 3, Sb 2Se 3 and Sb 2Te 3 monolayers using the density functional theory simulations. Molecular dynamics and phonon dispersion results show the desirable thermal and dynamical stability of studied nanosheets. On the basis of HSE06 and PBE/GGA functionals, we show that all the considered novel monolayers are semiconductors. Using the HSE06 functional the electronic bandgap of Sb 2S 3, Sb 2Se 3 and Sb 2Te 3 monolayers are predicted to be 2.15, 1.35 and 1.37 eV, respectively. Optical simulations show that the first absorption coefficient peak for Sb 2S 3, Sb 2Se 3 and Sb 2Te 3 monolayers along in-plane polarization is suitable for the absorption of the visible and IR range of light. Interestingly, optically anisotropic character along planar directions can be desirable for polarization-sensitive photodetectors. Furthermore, we systematically investigate the electrical transport properties with combined first-principles and Boltzmann transport theory calculations. At optimal doping concentration, we found the considerable larger power factor values of 2.69, 4.91, and 5.45 for hole-doped Sb 2S 3, Sb 2Se 3, and Sb 2Te 3, respectively. This study highlights the bright prospect for the application of Sb 2S 3, Sb 2Se 3 and Sb 2Te 3 nanosheets in novel electronic, optical and energy conversion systems. © 2021, The Author(s).
Lizenzbestimmungen: CC BY 4.0 Unported
Publikationstyp: Article
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2021
Die Publikation erscheint in Sammlung(en):Fakultät für Mathematik und Physik

Verteilung der Downloads über den gewählten Zeitraum:

Herkunft der Downloads nach Ländern:

Pos. Land Downloads
Anzahl Proz.
1 image of flag of United States United States 17 34,00%
2 image of flag of Germany Germany 15 30,00%
3 image of flag of Netherlands Netherlands 5 10,00%
4 image of flag of China China 5 10,00%
5 image of flag of Switzerland Switzerland 2 4,00%
6 image of flag of Vietnam Vietnam 1 2,00%
7 image of flag of Taiwan Taiwan 1 2,00%
8 image of flag of India India 1 2,00%
9 image of flag of Indonesia Indonesia 1 2,00%
10 image of flag of Spain Spain 1 2,00%
    andere 1 2,00%

Weitere Download-Zahlen und Ranglisten:


Hinweis

Zur Erhebung der Downloadstatistiken kommen entsprechend dem „COUNTER Code of Practice for e-Resources“ international anerkannte Regeln und Normen zur Anwendung. COUNTER ist eine internationale Non-Profit-Organisation, in der Bibliotheksverbände, Datenbankanbieter und Verlage gemeinsam an Standards zur Erhebung, Speicherung und Verarbeitung von Nutzungsdaten elektronischer Ressourcen arbeiten, welche so Objektivität und Vergleichbarkeit gewährleisten sollen. Es werden hierbei ausschließlich Zugriffe auf die entsprechenden Volltexte ausgewertet, keine Aufrufe der Website an sich.