Pokharia, R.S.; Khiangte, K.R.; Rathore, J.S.; Schmidt, J.; Osten, H.J. et al.: Metal semiconductor metal photodiodes based on all-epitaxial Ge-on-insulator-on-Si(111), grown by molecular beam epitaxy. In: Proceedings of SPIE 10914 (2019), 1091417. DOI: https://doi.org/10.1117/12.2509720
Abstract: | |
We report on the fabrication and characterisation of an all-epitaxial Germanium-on-Insulator (GOI) Metal-Semiconductor-Metal (MSM) photodetector. The MSM photodetector is fabricated on a (111)-oriented epitaxial Ge layer, grown on an epitaxial Gd 2 O 3 /Si(111) substrate, by molecular beam epitaxy (MBE). The first step is the growth of the 15-nm thick Gd 2 O 3 epitaxial layer over CMOS-grade silicon, atop which an epitaxial layer of Ge is grown. Near infrared (NIR) MSM photodetectors have been fabricated over the Ge epitaxial layer with an inter-digitated (IDT) contact structure, with an active area of 100 μm x 124 μm. For the particular IDT dimensions, the dark current has been measured to be 475 μA. A responsivity of ∼ 2 mA/W is observed at a-5V bias, when excited at 1550 nm. © 2019 SPIE. | |
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Document Type: | BookPart |
Publishing status: | publishedVersion |
Issue Date: | 2019 |
Appears in Collections: | Fakultät für Elektrotechnik und Informatik |
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total | perc. | |||
1 | Germany | 39 | 46.99% | |
2 | United States | 20 | 24.10% | |
3 | China | 11 | 13.25% | |
4 | India | 4 | 4.82% | |
5 | Taiwan | 3 | 3.61% | |
6 | Russian Federation | 2 | 2.41% | |
7 | Austria | 2 | 2.41% | |
8 | Ireland | 1 | 1.20% | |
9 | Indonesia | 1 | 1.20% |
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