Interaction-induced huge magnetoresistance in a high mobility two-dimensional electron gas

Originalpublikation

Bockhorn, L.; Gornyi, I.V.; Schuh, D.; Wegscheider, W.; Haug, R.J.: Interaction-induced huge magnetoresistance in a high mobility two-dimensional electron gas. In: AIP Conference Proceedings 1566 (2013), S. 289-290. DOI: https://doi.org/10.1063/1.4848399

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Name: Bockhorn et al 2013, ...
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A strong negative magnetoresistance is observed in a high-mobility two-dimensional electron gas in a GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well. We discuss that the negative magnetoresistance consists of a small peak induced by a combination of two types of disorder and a huge magnetoresistance explained by the interaction correction to the conductivity for mixed disorder. © 2013 AIP Publishing LLC.
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Publikationstyp: Article
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2013
Schlagwörter (englisch): Electron Interaction Correction, Fractional Quantum Hall Effect, Negative Magnetoresistance, Electron gas, Quantum Hall effect, Electron-interaction corrections, Fractional quantum Hall effects, GaAs, High mobility, Interaction corrections, Negative magneto-resistance, Magnetoresistance
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik
Kontrollierte Schlagwörter: Konferenzschrift

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