Kerfi, Oliver; Harm, Martin
(Aachen : Apprimus, 2020)
Zukünftige leistungselektronische Systeme werden von dem Einsatz von Wide-Bandgap- Halbleitern wie Siliciumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) profitieren. Gegenüber Silicium-Halbleitern sind deutlich gesteigerte ...