dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.15488/7893 |
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dc.identifier.uri |
https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/7946 |
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dc.contributor.author |
Krügener, Jan
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ger |
dc.date.accessioned |
2019-12-01T11:00:25Z |
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dc.date.available |
2019-12-01T11:00:25Z |
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dc.date.issued |
2012 |
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dc.identifier.citation |
Krügener, Jan: Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des Siliziums. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität, Diss., 2012, 213 S. |
ger |
dc.description.abstract |
[no abstract] |
ger |
dc.language.iso |
ger |
eng |
dc.publisher |
Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover |
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dc.rights |
Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden. |
ger |
dc.subject |
Molecular beam epitaxy |
eng |
dc.subject |
silicon |
eng |
dc.subject |
polytypism |
eng |
dc.subject |
Molekularstrahlepitaxie |
ger |
dc.subject |
Silizium |
ger |
dc.subject |
Polytypismus |
ger |
dc.subject.ddc |
621,3 | Elektrotechnik, Elektronik
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ger |
dc.title |
Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des Siliziums |
ger |
dc.type |
DoctoralThesis |
ger |
dc.type |
Text |
ger |
dc.relation.urn |
urn:nbn:de:gbv:089-7276185716 |
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dcterms.extent |
213 S. |
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dc.description.version |
publishedVersion |
ger |
tib.accessRights |
frei zug�nglich |
ger |