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Originalpublikation
Bockhorn, L.; Hodaei, A.; Schuh, D.; Wegscheider, W.; Haug, R. J.: Magnetoresistance in a High Mobility Two-Dimensional Electron System as a Function of Sample Geometry. In: Journal of Physics Conference Series 456 (2013), UNSP 012003. DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/456/1/012003
Version im Repositorium
Zum Zitieren der Version im Repositorium verwenden Sie bitte diesen DOI:
https://doi.org/10.15488/416
| Zusammenfassung: | |
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In a high mobility two-dimensional electron gas (2DEG) realized in a GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well we observe changes in the Shubnikov-de Haas oscillations (SdHO) and in the Hall resistance for different sample geometries. We observe for each sample geometry a strong negative magnetoresistance around zero magnetic field which consists of a peak around zero magnetic field and of a huge magnetoresistance at larger fields. The peak around zero magnetic field is left unchanged for different geometries.
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| Lizenzbestimmungen: | CC BY 3.0 Unported - https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/de/ |
| Publikationstyp: | Article |
| Publikationsstatus: | publishedVersion |
| Erstveröffentlichung: | 2013 |
| Schlagwörter (englisch): | Physics, Multidisciplinary, Physics, Condensed Matter |
| Fachliche Zuordnung (DDC): | 530 | Physik |
| Kontrollierte Schlagwörter: | Konferenzschrift |
Die Publikation erscheint in Sammlung(en):
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