Tuning the onset voltage of resonant tunneling through InAs quantum dots by growth parameters

Originalpublikation

Hapke-Wurst, I.; Zeitler, U.; Keyser, U.F.; Haug, R.J.; Pierz, K.; Ma, Z.: Tuning the onset voltage of resonant tunneling through InAs quantum dots by growth parameters. In: Applied Physics Letters 82 (2003), Nr. 8, S. 1209-1211. DOI: https://doi.org/10.1063/1.1555712

Version im Repositorium

Zum Zitieren der Version im Repositorium verwenden Sie bitte diesen DOI: https://doi.org/10.15488/2830

Thumbnail
Name: Hapke-Wurst et al ...
Größe: 176.3Kb
Format: PDF
Öffnen
Zusammenfassung:
A study was conducted on the onset voltage of resonant tunneling through indium arsenide (InAs) quantum dots by growth parameters. It was found that the onset voltage of the first step decreased from 200 mV to 0 with increasing InAs coverage. The results were confirmed by atomic force micrographs and photoluminescence experiments on reference samples.
Lizenzbestimmungen: Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.
Publikationstyp: Article
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2003
Schlagwörter (englisch): Atomic force microscopy, Current voltage characteristics, Ground state, Molecular beam epitaxy, Photoluminescence, Resonant tunneling, Self assembly, Semiconducting indium compounds, Onset voltage, Semiconductor quantum dots
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

Downloadstatistik

Zur Langanzeige

Die Publikation erscheint in Sammlung(en):

 

Suche im Repositorium


Durchblättern

Mein Nutzer/innenkonto

Nutzungsstatistiken