Bockhorn, L.; Gornyi, I.V.; Schuh, D.; Wegscheider, W.; Haug, R.J.: Interaction-induced huge magnetoresistance in a high mobility two-dimensional electron gas. In: AIP Conference Proceedings 1566 (2013), S. 289-290. DOI:
https://doi.org/10.1063/1.4848399
Zusammenfassung: |
A strong negative magnetoresistance is observed in a high-mobility two-dimensional electron gas in a GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well. We discuss that the negative magnetoresistance consists of a small peak induced by a combination of two types of disorder and a huge magnetoresistance explained by the interaction correction to the conductivity for mixed disorder. © 2013 AIP Publishing LLC.
|
Lizenzbestimmungen: |
Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden. |
Publikationstyp: |
Article |
Publikationsstatus: |
publishedVersion |
Erstveröffentlichung: |
2013 |
Schlagwörter (englisch): |
Electron Interaction Correction, Fractional Quantum Hall Effect, Negative Magnetoresistance, Electron gas, Quantum Hall effect, Electron-interaction corrections, Fractional quantum Hall effects, GaAs, High mobility, Interaction corrections, Negative magneto-resistance, Magnetoresistance
|
Fachliche Zuordnung (DDC): |
530 | Physik
|
Kontrollierte Schlagwörter: |
Konferenzschrift
|