Lehr, M.; Heinemeyer, F.; Eidelloth, S.; Brendemühl, T.; Kiefer, F.; et al.: How to obtain solderable Al/Ni:V/Ag contacts. In: Energy Procedia 38 (2013), S. 375-379. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2013.07.292
Zusammenfassung: | |
We investigate process sequences for obtaining solderable Al/Ni:V/Ag contacts to PERC-type crystalline Si solar cells by in-line Al evaporation. For a high cell efficiency the evaporated aluminum must be annealed at 350 °C for about 5 min. We find that annealing the Al/Ni:V/Ag metallization stack at temperatures above 150 °C destroys the solderability of the wetting layer. A solution for this problem is to first deposit the 2.5 μm Al layer by evaporation, then anneal the cell at 350 °C for 10 min, and finally sputter a double layer of Ni:V/Ag with respective thickness values of 200 nm and 25 nm. This process leads to a contact resistivity lower than 1 mΩcm2. The solderablility is proven by a peel force greater than 3 N/mm. We present a solderable PERC cell with Al/Ni:V/Ag rear side metallization and an efficiency of 18.9%. | |
Lizenzbestimmungen: | CC BY-NC-ND 3.0 Unported |
Publikationstyp: | Article |
Publikationsstatus: | publishedVersion |
Erstveröffentlichung: | 2013 |
Die Publikation erscheint in Sammlung(en): | Fakultät für Mathematik und Physik |
Pos. | Land | Downloads | ||
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Anzahl | Proz. | |||
1 | Germany | 134 | 70,53% | |
2 | United States | 18 | 9,47% | |
3 | China | 16 | 8,42% | |
4 | Netherlands | 3 | 1,58% | |
5 | Ireland | 3 | 1,58% | |
6 | No geo information available | 2 | 1,05% | |
7 | India | 2 | 1,05% | |
8 | Indonesia | 2 | 1,05% | |
9 | Switzerland | 2 | 1,05% | |
10 | Vietnam | 1 | 0,53% | |
andere | 7 | 3,68% |
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