dc.identifier.uri |
http://dx.doi.org/10.15488/9614 |
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dc.identifier.uri |
https://www.repo.uni-hannover.de/handle/123456789/9668 |
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dc.contributor.author |
Zahl, Percy
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ger |
dc.date.accessioned |
2020-03-13T15:00:24Z |
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dc.date.available |
2020-03-13T15:00:24Z |
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dc.date.issued |
2001 |
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dc.identifier.citation |
Zahl, Percy: Oberflächenspannung auf Si(111) : Heteroepitaxie von Ge und CaF2, Adsorption von H und Sb. Hannover : Universität, Diss., 2000, 171 S. |
ger |
dc.description.abstract |
[no abstract] |
ger |
dc.language.iso |
ger |
eng |
dc.publisher |
Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover |
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dc.rights |
Es gilt deutsches Urheberrecht. Das Dokument darf zum eigenen Gebrauch kostenfrei genutzt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden. |
ger |
dc.subject |
Surface-stress |
eng |
dc.subject |
SSIOD |
eng |
dc.subject |
SPA-LEED |
eng |
dc.subject |
Si(111) |
eng |
dc.subject |
hetero-epitaxy |
eng |
dc.subject.ddc |
530 | Physik
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ger |
dc.title |
Oberflächenspannung auf Si(111) : Heteroepitaxie von Ge und CaF2, Adsorption von H und Sb |
ger |
dc.type |
DoctoralThesis |
ger |
dc.type |
Text |
ger |
dc.relation.urn |
urn:nbn:de:gbv:089-3237815008 |
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dcterms.extent |
171 S. |
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dc.description.version |
publishedVersion |
ger |
tib.accessRights |
frei zug�nglich |
ger |