Permanent deactivation of boron-oxygen-related recombination centres in crystalline silicon

Originalpublikation

Walter, Dominic Christof: Permanent deactivation of boron-oxygen-related recombination centres in crystalline silicon. Hannover : Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, Diss., 2016, VI, 148 S.

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Publikationstyp: DoctoralThesis
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2016
Schlagwörter (deutsch): Bor-Sauerstoff-korrelierte Defektzentren, Deaktivierung, Ladungsträgerlebensdauer
Schlagwörter (englisch): Boron-oxygen-related defect centres, deactivation, carrier lifetime
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik

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