Technologiekonzepte für sub-100 nm SiGe-Hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im Hochfrequenzbereich

Originalpublikation

Zeuner, Marco: Technologiekonzepte für sub-100 nm SiGe-Hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im Hochfrequenzbereich. Hannover : Universität, Diss., 2003, 270 S.

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Publikationstyp: DoctoralThesis
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2003
Schlagwörter (englisch): SiGe-HFET, replacement-gate, RF-transistor
Fachliche Zuordnung (DDC): 621,3 | Elektrotechnik, Elektronik

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