Single electron counting statistics for atto-Ampere currents through a semiconductor quantum dot

Originalpublikation

Hohls, F.; Fricke, C.; Wegscheider, W.; Haug, R.J.: Single electron counting statistics for atto-Ampere currents through a semiconductor quantum dot. In: AIP Conference Proceedings 922 (2007), S. 212-215. DOI: https://doi.org/10.1063/1.2759669

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Name: Hohl et al 2007, ...
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Format: PDF
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Zusammenfassung:
We have implemented single electron counting for the tunneling current through a quantum dot. This allows us to study in detail the dynamics of transport. For certain settings of the gate and bias voltage we observe bimodal counting statistics which reveal the participation of different dot configurations in the transport process. The lifetime of these configurations is long compared to the mean tunneling times of the electrons. © 2007 American Institute of Physics.
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Publikationstyp: Article
Publikationsstatus: publishedVersion
Erstveröffentlichung: 2007
Schlagwörter (englisch): Counting statistics, Fluctuations, Quantum dot, Single electron counting
Fachliche Zuordnung (DDC): 530 | Physik
Kontrollierte Schlagwörter: Konferenzschrift

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