Zusammenfassung: |
We observe the noise spectrum of electron spins in bulk GaAs by Faraday-rotation noise spectroscopy. The experimental technique enables the undisturbed measurement of the electron-spin dynamics in semiconductors. We measure exemplarily the electron-spin relaxation time and the electron Landé g factor in n-doped GaAs at low temperatures and find good agreement of the measured noise spectrum with a theory based on Poisson distribution probability. © 2005 The American Physical Society.
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Lizenzbestimmungen: |
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Publikationstyp: |
Article |
Publikationsstatus: |
publishedVersion |
Erstveröffentlichung: |
2005 |
Schlagwörter (englisch): |
Electron spins, Electron-spin relaxation, Noise spectrum, Spin noise spectroscopy, Electrons, Molecular dynamics, Poisson distribution, Relaxation processes, Spectroscopic analysis, Semiconducting gallium arsenide
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Fachliche Zuordnung (DDC): |
530 | Physik
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