Stegemann, S.; Xiong, J.; Mathis, W.: Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen [Modeling of quantum effects in a charge-based MOS transistor model for the simulation of nanoscaled CMOS analog circuits]. In: Advances in Radio Science 7 (2009), S. 185-190. DOI:
https://doi.org/10.5194/ars-7-185-2009