Hapke-Wurst, I.; Zeitler, U.; Keyser, U.F.; Haug, R.J.; Pierz, K.; Ma, Z.: Tuning the onset voltage of resonant tunneling through InAs quantum dots by growth parameters. In: Applied Physics Letters 82 (2003), Nr. 8, S. 1209-1211. DOI: https://doi.org/10.1063/1.1555712
Zusammenfassung: | |
A study was conducted on the onset voltage of resonant tunneling through indium arsenide (InAs) quantum dots by growth parameters. It was found that the onset voltage of the first step decreased from 200 mV to 0 with increasing InAs coverage. The results were confirmed by atomic force micrographs and photoluminescence experiments on reference samples. | |
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Publikationstyp: | Article |
Publikationsstatus: | publishedVersion |
Erstveröffentlichung: | 2003 |
Die Publikation erscheint in Sammlung(en): | Fakultät für Mathematik und Physik |
Pos. | Land | Downloads | ||
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Anzahl | Proz. | |||
1 | Germany | 72 | 60,00% | |
2 | United States | 24 | 20,00% | |
3 | Israel | 10 | 8,33% | |
4 | China | 6 | 5,00% | |
5 | France | 3 | 2,50% | |
6 | Ireland | 2 | 1,67% | |
7 | Taiwan | 1 | 0,83% | |
8 | Korea, Republic of | 1 | 0,83% | |
9 | Australia | 1 | 0,83% |
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