Tetzlaff, D.; Dzinnik, M.; Krügener, J.; Larionova, Y.; Reiter, S. et al.: Introducing pinhole magnification by selective etching: Application to poly-Si on ultra-thin silicon oxide films. In: Energy Procedia 124 (2017), S. 435-440. DOI: https://doi.org/10.1016/j.egypro.2017.09.270
Zusammenfassung: | |
Carrier selective junctions formed by polycrystalline silicon (poly-Si) on ultra-thin silicon oxide films are currently in the spotlight of silicon photovoltaics. We develop a simple method using selective etching and conventional optical microscopy to determine the pinhole density in interfacial oxide films of poly-Si on oxide (POLO)-junctions with excellent electrical properties. We characterize the selective etching of poly-Si versus ultra-thin silicon oxide. We use test structures with deliberately patterned openings and 3 nm thin oxide films to check the feasibility of magnification by undercutting the interfacial oxide. With the successful proof of our concept we introduce a new method to access the density of nanometer-size pinholes in POLO-junctions with excellent passivation properties. | |
Lizenzbestimmungen: | CC BY-NC-ND 4.0 Unported |
Publikationstyp: | Article |
Publikationsstatus: | publishedVersion |
Erstveröffentlichung: | 2017 |
Die Publikation erscheint in Sammlung(en): | Fakultät für Elektrotechnik und Informatik |
Pos. | Land | Downloads | ||
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Anzahl | Proz. | |||
1 | Germany | 220 | 53,40% | |
2 | United States | 60 | 14,56% | |
3 | Korea, Republic of | 23 | 5,58% | |
4 | Taiwan | 22 | 5,34% | |
5 | China | 22 | 5,34% | |
6 | Czech Republic | 12 | 2,91% | |
7 | Japan | 6 | 1,46% | |
8 | France | 4 | 0,97% | |
9 | Hong Kong | 3 | 0,73% | |
10 | Canada | 3 | 0,73% | |
andere | 37 | 8,98% |
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